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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。

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图18示出图17所示实施例中误差信号vea、三角波信号vsaw、隔离反馈信号fbi以及反馈输出信号fbo的时序波形图。以下结合如图18，阐述开关电源电路1700原副边协调工作的原理。误差信号vea与三角波信号vsaw比较，产生具有一定占空比的隔离反馈信号fbi，以驱动光耦op的二极管部分；经过光耦的三极管部分后，得到反馈输出信号fbo。反馈输出信号fbo经由低通滤波器lpf后，得到补偿信号vc。由于反馈输出信号fbo的占空比(高电平时间占开关周期的比值)与误差信号vea的幅值成正比，而补偿信号vc为fbo的平均值信号。因此，补偿信号vc反映了误差信号vea。在图8所示实施例中，该补偿信号vc用于控制原边功率开关q1的导通时长，以控制原边功率开关q1的断开时刻。但是本领域技术人员应当意识到，该补偿信号也可以用于控制流过原边功率开关q1电流的峰值(如图15所示实施例)，或者控制开关电源电路的频率。为叙述简明，这里不再详述。此外，反馈输出信号fbo的边沿跳变被边沿跳变检测器21检测，当出现边沿跳变(如上跳边沿)时，原边功率开关q1被导通。在一个实施例中，三角波产生器34可以替换为锯齿波产生器。所述锯齿波产生器提供锯齿波信号，该锯齿波信号在原边功率开关q1导通时刻从零开始增大。质量裸板电源**知识

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